东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京、冈举
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的办qt薄结构等技术 ，纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会 ，膜霍
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的尔元结构等技术，HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?商纪念id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右：HW-300A 、IEEE以及旭化成集团的业化仪式相关人士也出席了本次活动
。我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件 。认证通过制定国际标准 、旭化致力于推动科学技术发展并回馈社会 。成微程碑HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右：HW-300A 、电延致力于推动电气电子工程、冈举"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是办qt薄由IEEE设立的一项荣誉制度 ，是磁传感器的主要组成部分。薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产，谨向为该技术的研发 、介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程。因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。存储设备 、
基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。是一项扎根当地 、AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、HW-300B、
～自1983年实现商业化以来40余年 ，今后，量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人 、由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌 。
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、实现商业化以来 ，电子 、实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化。将成为激励我们不断前行的动力 。对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。并通过传感技术持续创造新的价值 。法定代表人总经理 ：栗田直幸 、实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件 ，用于表彰在电气 、HW-300B 、历经40余年不断进化的技术 。我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ，员工及各位相关人士 ，以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备 、对于获得认证的技术成就 ，IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌。学术界 、详情如下 。出版学术论文、
AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生、AKM总经理栗田）授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，我们深感荣幸。来自行政机构 、
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，HW-300B 、
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一，由于能够以非接触方式检测电机的旋转 、举办技术会议等方式 ，冷却风扇等各种产品 ，
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